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电子元件行业:存储器国产化势在必行,关注相变存储

发布时间:2016-06-29    研究机构:长江证券

存储器国产化势在必行。

国家重点推进存储器产业的发展不仅是因为其处于集成电路产业的核心地位,更是基于信息安全的考量,唯有在存储器、CPU等核心芯片领域具备自主可控能力,才能确保国防及信息安全。目前国内的存储器国产化具备一定的产业基础,国家存储器战略有望落地!在设计端,兆易创新主要从事NorFlash的芯片设计,西安华芯主要从事DRAM芯片设计;在制造端,武汉新芯和中芯国际具备一定的制造能力,同时紫光国芯也开始布局该领域;在封测端,长电科技、华天科技和深科技(000021)均有一定的封测能力。

新型非易失性存储器为发展重点。

目前存储器的发展方向主要是在非易失性存储器领域,随着寿命的增加、成本的控制以及效率的提升,非易失性存储器将有机会实现对于易失性存储器的替代。在新型非易失性存储器中,铁电存储器、磁存储器和相变存储器纷纷崭露头脚,目前最引人瞩目的当属相变存储器了。

相变存储器性能突出,市场前景广阔。

PCM具有存储单元尺寸小、非易失性、循环寿命长、稳定性好、功耗低和可嵌入功能强等优点,与市场对于存储器未来的发展方向相吻合。国际巨头如Intel、micron、IBM、Sumsang等纷纷布局PCM,期望在技术上保持领先地位,国内对于该领域的研究也稳步推进,竞争异常激烈。目前来看PCM已在多个指标上超越FLASH,随着市场的开拓以及产业链的建设,一旦PCM进入市场,将率先实现对于FLASH的替代,市场空间巨大。

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